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STD96N3LLH6 | STMicroelectronics | ![]() ![]() |
半导体 分离式半导体 | mosfet N-Ch 30v 0.0037 ohm 80a stripfet VI |
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STD96N3LLH6 | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 描述 该产品是一种N沟道功率mosfet,它采用了ST专有的stripfet™技术的第六代设计规则,并具有新的栅极结构。在所有封装中,最终的功率mosfet的R DS(on)最低。 所有功能 R DS(on) * Q g行业基准 极低的导通电阻R DS(on) 高雪崩强度 栅极驱动功率损耗低 |
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